Pa ddeuod sy'n cael eu defnyddio fel switsh cyflymder uchel?

Yn ystod y blynyddoedd diwethaf, gyda datblygiad cyflym technoleg electronig, mae switshis cyflym wedi dod yn ddyfais bwysig iawn a ddefnyddir i gyflawni newid cyflym a rheoli cylchedau, yn ogystal â throsi a throsglwyddo rhai signalau cyflym. Wrth weithgynhyrchu switshis cyflym, mae deuodau yn ddeunydd pwysig iawn ac yn chwarae rhan bwysig iawn. Felly, pa fath o ddeuod sy'n cael ei ddefnyddio fel switsh cyflym? Isod mae cyflwyniad manwl i'r mater hwn.

Yn gyntaf, mae'n bwysig deall mai egwyddor sylfaenol deuodau yw pasio cerrynt i un cyfeiriad. Felly, yn y cydrannau cario cerrynt o deuodau, oherwydd uncyfeiriadedd y presennol, bydd rhywfaint o ddefnydd o ynni pan fydd y lefel yn mynd drwy y deuod. Felly, mewn cymwysiadau ymarferol, rhaid inni ddewis deuod â gostyngiad foltedd isel a chyflymder cydgysylltiad uchel i sicrhau bod y deuod yn gallu newid, ymateb a throsglwyddo signalau yn gyflym. Mewn theori, gellir defnyddio pob deuodau cyffordd PN ar gyfer newid cyflym, ond mewn gwirionedd, oherwydd nodweddion cymharol sengl deuodau silicon, mae transistorau gallium arsenide (GaAs) wedi dod yn un o'r dyfeisiau a ddefnyddir amlaf mewn newid cyflym. yn y farchnad bresennol.

Mae transistor Gallium arsenide (GaAs) yn ddyfais lled-ddargludyddion sydd, yn wahanol i gydrannau silicon, yn cael ei datblygu gan beirianwyr a dylunwyr lefel uchel i addasu i gymwysiadau cyflym a manwl uchel, yn enwedig systemau cyfathrebu diwifr. Yn eu plith, mae gan GaAs symudedd electron uchel iawn a gallu ymateb amledd, ac fe'i defnyddir yn gyffredin mewn cylchedau amledd uchel a chymwysiadau â gofynion sefydlogrwydd uchel Er enghraifft, mewn cyfathrebu lloeren, rhwydweithiau diwifr, laserau, a systemau radar, y cyflymder uchel gall perfformiad y ddyfais hon fodloni gofynion uchel pob parti yn well.

Yn ogystal, mae gan transistorau sy'n seiliedig ar silicon fel SiC (carbid silicon), bipower silicon, a deuodau carbid silicon berfformiad trydanol uchel a gallu newid cyflym, gan eu gwneud yn addas ar gyfer newid cyflym. Yn eu plith, mae gan ddeuodau dyblu silicon nodweddion ymateb lefel cyflym iawn, gostyngiad foltedd isel, a chynhwysedd gwrthsefyll cerrynt uchel, ac fe'u defnyddir yn aml mewn cyflenwadau pŵer newid DC / DC a DC / AC. Mae gan transistorau sy'n seiliedig ar garbon silicon (SiC) a deuodau carbid silicon (SiC) berfformiad tymheredd uchel rhagorol a chynhwysedd llwyth foltedd gwrthdro uchel oherwydd eu hymateb cerrynt gwrthdro isel ac ymateb cynhwysedd isel. Mae eu cyflymderau newid hefyd yn gymharol gyflym, sy'n golygu eu bod yn cael eu defnyddio'n helaeth mewn meysydd fel switshis pŵer uchel, cerbydau ymreolaethol, awyrofod, ac ynni newydd.

I grynhoi, wrth ddefnyddio switshis cyflym, mae transistorau GaAs, fel deunyddiau safonol, wedi cael eu profi a'u gwirio'n llym, ac mae ganddynt ddibynadwyedd, sefydlogrwydd a gwydnwch uchel iawn. Fodd bynnag, mewn cymwysiadau ymarferol, efallai y bydd gan wahanol ddyfeisiadau fanteision cymhwyso gwahanol. Gall deall nodweddion a gofynion pob deuod fodloni anghenion gwahanol senarios cymhwyso yn well.

https://www.trrsemicon.com/diode/high-speed-diode-bas32l.html