Beth yw'r foltedd pan fydd y transistor wedi'i ddiffodd?

Diffiniad o gyflwr torri transistor
Cyflwr torbwynt transistor, yn fyr, yw'r wladwriaeth lle mae'r transistor bron yn ddargludol o dan amodau penodol. Mae'r wladwriaeth hon fel arfer yn digwydd pan fydd y cerrynt sylfaen yn sero neu'n fach iawn, gan arwain at bron ddim cerrynt yn llifo rhwng y casglwr a'r allyrrydd. Yn BJTS (transistorau deubegwn), mae hyn fel arfer yn golygu bod yr allyrrydd a'r cyffyrdd casglwr mewn cyflwr gogwydd gwrthdroi, tra yn FETs (transistorau effaith maes), mae'n cael ei amlygu fel sianel sy'n cael ei phinsio i ffwrdd neu ddim sianel o gwbl.
Y cysyniad o foltedd torri i ffwrdd
Mae'r foltedd y mae transistor yn cael ei ddiffodd fel arfer yn cyfeirio at yr isafswm cyflwr foltedd sy'n ofynnol i ddod â'r transistor i'r wladwriaeth i ffwrdd. Gall y gwerth foltedd hwn amrywio ar gyfer gwahanol fathau o transistorau a gwahanol amodau gweithredu. Ar gyfer BJTs, mae'r foltedd torri i ffwrdd yn gysylltiedig yn bennaf â'r foltedd rhwng yr allyrrydd a'r sylfaen (VBE). Pan fydd VBE yn llai na neu'n hafal i werth penodol (hy foltedd torri vcesat), bydd y transistor yn mynd i mewn i'r wladwriaeth torri i ffwrdd. Ar gyfer FET, yn enwedig MOSFET, mae'r foltedd torri i ffwrdd yn fwy cysylltiedig â'r foltedd rhwng y giât a'r ffynhonnell (VGS). Pan fydd VGS yn llai na'r foltedd trothwy (VT), mae'r transistor yn y cyflwr torbwynt.
Ffactorau cyfrifo a dylanwadu foltedd torri i ffwrdd
Ar gyfer BJTS, y fformiwla gyfrifo ar gyfer y foltedd torri i ffwrdd VCESAT fel arfer yw Vcesat=ic/ +vbe, lle IC yw cerrynt y casglwr, yw ffactor lluosi'r transistor, a vbe yw'r foltedd rhwng yr allyrrydd a'r sylfaen. Fodd bynnag, defnyddir y fformiwla hon yn bennaf ar gyfer dadansoddi damcaniaethol a chyfrifiadau dylunio. Yn ymarferol, mae'r foltedd torri i ffwrdd hefyd yn cael ei effeithio gan lawer o ffactorau eraill, megis y broses weithgynhyrchu o transistorau, tymheredd a chydrannau eraill yn y gylched.
Ar gyfer FET, yn enwedig MOSFET, mae ei foltedd torri i ffwrdd yn cael ei bennu'n bennaf gan y foltedd trothwy VT. Y foltedd trothwy yw'r foltedd giât lleiaf sy'n ofynnol i gychwyn dargludiad yn sianel MOSFET. Pan fydd VGS yn llai na VT, mae'r sianel yn cael ei phinsio i ffwrdd neu ddim yn bodoli, ac mae'r transistor mewn cyflwr i ffwrdd. Mae maint y foltedd trothwy yn dibynnu ar ffactorau fel y broses weithgynhyrchu, crynodiad dopio, hyd sianel, a thrwch haen ocsid giât y mosfet.
Cymhwyso foltedd torri i ffwrdd mewn dylunio cylched
Mae deall a chymhwyso foltedd torri transistorau yn hanfodol wrth ddylunio cylched. Trwy reoli foltedd sylfaen neu giât transistor, gellir rheoli'n union gyflwr newid y transistor, a thrwy hynny gyflawni swyddogaeth rhesymeg a phrosesu signal y gylched. Er enghraifft, mewn cylchedau digidol, mae transistorau yn aml yn cael eu defnyddio fel elfennau newid i gyflawni a phrosesu signal trwy reoli eu gwladwriaethau i ffwrdd ac ar wladwriaethau.
Yn ogystal, mewn cylchedau analog, mae foltedd torri transistorau hefyd yn chwarae rhan bwysig. Trwy addasu foltedd torri'r transistor, gellir newid pwynt gweithredu ac enillion y gylched, a thrwy hynny optimeiddio perfformiad y gylched. Er enghraifft, mewn cylched mwyhadur, gall gosod foltedd torri'r transistor yn rhesymol sicrhau bod y gylched yn cynnal enillion uchel pan fydd y signal mewnbwn yn fach, wrth osgoi ystumiad dirlawnder pan fydd y signal mewnbwn yn fawr.
https://www.trrsemicon.com/transistor/transistor-npn-d882-sot-89.html