Beth yw transistor PNP?

Y cysyniad sylfaenol o transistor PNP
Mae transistor PNP, fel y mae'r enw'n ei awgrymu, yn transistor sy'n cynnwys dau ddeunydd lled-ddargludyddion math P sy'n rhyngosod deunydd lled-ddargludyddion math N. Mae'r strwythur hwn yn ffurfio'r dilyniant trefniant o "PNP", yn wahanol i transistor NPN cyffredin arall (strwythur NPN). Y tri phrif bin mewn transistor PNP yw'r allyrrydd (E), y sylfaen (B), a'r casglwr (C). Mewn transistor PNP, mae'r allyrrydd a'r casglwr yn lled-ddargludyddion math P, tra bod y sylfaen yn lled-ddargludydd math N.
egwyddor gweithio
Mae egwyddor weithredol transistorau PNP yn seiliedig ar nodweddion deunyddiau lled-ddargludyddion ac egwyddor weithredol cyffyrdd PN. Pan fydd foltedd negyddol yn cael ei roi ar waelod transistor PNP o'i gymharu â'r allyrrydd (hy, mae'r potensial sylfaen yn is na'r potensial allyrrydd), mae tyllau yn yr allyrrydd yn dechrau tryledu tuag at y sylfaen. Oherwydd y rhanbarth sylfaen cul a chrynodiad dopio isel, bydd rhai o'r tyllau hyn yn ailgyfuno ag electronau yn y sylfaen, gan ffurfio cerrynt sylfaen. Fodd bynnag, bydd y rhan fwyaf o'r tyllau yn croesi'r sylfaen, yn mynd i mewn i'r rhanbarth casglwr, ac yn parhau i symud o dan atyniad y casglwr, gan ffurfio cerrynt casglwr.
Mae effaith ymhelaethu transistorau PNP yn seiliedig ar symud tyllau ac ehangu cerrynt. Pan fydd newid bach yn y cerrynt sylfaen, bydd cerrynt y casglwr yn cael ei newid yn gymharol fawr oherwydd effaith chwistrellu tyllau ac effaith chwyddo cerrynt y casglwr. Mae nodwedd helaethiad cyfredol wedi gwneud transistorau PNP yn cael eu defnyddio'n helaeth mewn cylchedau ymhelaethu.
nodweddiad
Nodweddion polaredd
Mae nodweddion polaredd transistorau PNP yn un o'u nodweddion amlycaf. Oherwydd y ffaith bod yr allyrrydd a'r casglwr yn lled-ddargludyddion math P, a bod y sylfaen yn lled-ddargludydd math N, mae polaredd transistorau PNP yn "gadarnhaol negyddol positif". Mae'r nodwedd polaredd hon yn pennu cysylltiad a defnydd transistorau PNP mewn cylchedau.
Nodweddion ymhelaethu ar hyn o bryd
Mae gan transistorau PNP nodweddion helaethu cyfredol sylweddol. Trwy reoli'r cerrynt bach ar y gwaelod, mae'n bosibl rheoli a chwyddo'r cerrynt mawr rhwng yr allyrrydd a'r casglwr. Mae'r nodwedd hon yn gwneud i transistorau PNP chwarae rhan hanfodol mewn cylchedau mwyhau.
Nodweddion switsh
Yn ogystal â nodweddion ymhelaethu, mae gan transistorau PNP hefyd briodweddau newid cyflym. Pan fydd y foltedd sylfaen yn cyrraedd trothwy penodol, bydd transistorau PNP yn trosglwyddo'n gyflym o'r cyflwr i ffwrdd i'r cyflwr dirlawnder (neu i'r gwrthwyneb), a thrwy hynny gyflawni rheolaeth switsh ar y gylched. Mae'r nodwedd hon wedi gwneud transistorau PNP yn cael eu defnyddio'n helaeth mewn cylchedau switsh, cynhyrchu signal PWM, a meysydd eraill.
sefydlogrwydd tymheredd
Mae tymheredd yn effeithio'n fawr ar berfformiad transistorau PNP. Wrth i'r tymheredd gynyddu, bydd ffactor ehangu presennol transistorau PNP yn lleihau, tra bydd y cerrynt gollyngiadau yn cynyddu. Felly, wrth ddylunio cylchedau gan ddefnyddio transistorau PNP, mae angen ystyried iawndal tymheredd a mesurau afradu gwres i sicrhau sefydlogrwydd a dibynadwyedd y gylched.
cais
Mae gan transistorau PNP ystod eang o gymwysiadau mewn dylunio cylched electronig. Fe'u defnyddir nid yn unig mewn meysydd traddodiadol fel cylchedau mwyhadur a chylchedau switsh, ond maent hefyd yn treiddio'n raddol i feysydd sy'n dod i'r amlwg fel systemau mewnosodedig, rheoli pŵer, a thechnoleg cyfathrebu. Mewn cylchedau mwyhau sain, gall transistorau PNP ddarparu ansawdd sain da ac ystod ddeinamig; Mewn cylchedau pŵer, gallant gyflawni trosi foltedd effeithlon a rheolaeth gyfredol; Mewn systemau gwreiddio, defnyddir transistorau PNP i weithredu amrywiol swyddogaethau rhesymeg a phrosesu signal.
Cymhariaeth â mathau eraill o transistorau
Cymhariaeth â transistorau NPN
Mae gan transistorau PNP a transistorau NPN rai gwahaniaethau o ran strwythur ac egwyddor gweithio. Mae allyrrydd a chasglwr transistor NPN yn lled-ddargludyddion math N, a lled-ddargludyddion math P yw'r sylfaen; Mae'r allyrrydd a chasglwr transistorau PNP yn lled-ddargludyddion math P, ac mae'r sylfaen yn lled-ddargludyddion math N. Mae'r gwahaniaeth strwythurol hwn yn arwain at wahaniaethau yn eu cysylltiadau cylched a'u dulliau defnydd. Yn ogystal, mae rhai gwahaniaethau a chyfatebolrwydd rhwng transistorau PNP a transistorau NPN o ran paramedrau perfformiad a meysydd cais.
Cymhariaeth â mathau eraill o ddyfeisiau lled-ddargludyddion
Yn ogystal â transistorau PNP a transistorau NPN, mae mathau eraill o ddyfeisiau lled-ddargludyddion megis MOSFETs, IGBTs, ac ati Mae gan y dyfeisiau hyn wahaniaethau sylweddol o transistorau PNP o ran strwythur, egwyddor gweithio, paramedrau perfformiad, a meysydd cais. Er enghraifft, mae gan MOSFETs fanteision rhwystriant mewnbwn uchel, cyflymder newid cyflym, a defnydd pŵer isel; Mae gan IGBT nodweddion fel foltedd uchel, cerrynt uchel, a newid cyflym. Mae'r gwahaniaethau hyn yn galluogi gwahanol fathau o ddyfeisiau lled-ddargludyddion i chwarae eu manteision priodol mewn gwahanol senarios cais.
https://www.trrsemicon.com/transistor/driver-transistors-bss64.html