IRLML0040TRPBF Cwestiynau a Ofynnir yn Aml

Mesurau ataliol ar gyfer methiant foltedd J-polyn: Amddiffyniad gorfoltedd rhwng y gofrestr a'r ffynhonnell: Os yw'r rhwystriant rhwng y giât a'r ffynhonnell yn rhy uchel, bydd newid sydyn yn y foltedd rhwng y draen a'r ffynhonnell yn cael ei gysylltu â'r giât trwy gynhwysedd electrod, gan arwain at mewn gordyrru foltedd UGS uchel iawn a gor-saethu giatiau. Os yw'n foltedd dros dro UGS i'r cyfeiriad cadarnhaol, efallai y bydd gan y ddyfais wallau dargludiad hefyd. Er mwyn cyflawni hyn, dylid lleihau rhwystriant cylched gyrru'r giât yn briodol, a dylid cysylltu gwrthydd dampio neu reoleiddiwr foltedd â sefydlogiad foltedd o tua 20V yn gyfochrog rhwng y giât a'r ffynhonnell. Rhaid rhoi sylw arbennig i atal gweithrediadau agor drysau.

Amddiffyniad gorfoltedd rhwng pibellau nad ydynt yn ddŵr: Os oes llwyth anwythol yn y gylched, bydd newid sydyn yn y cerrynt draen (di/dt) pan fydd yr offer wedi'i ddiffodd yn achosi i foltedd y draen or-saethu, sy'n llawer uwch na'r cyflenwad pŵer foltedd, gan arwain at ddifrod offer. Dylid cymryd mesurau amddiffynnol fel gefail Zener, gefail RC, neu gylchedau RC.

Enghraifft: Defnyddio bwrdd amddiffyn batri lithiwm fel switsh codi tâl a gollwng

Yn gyffredinol, mae MOS mewn cyflwr ymlaen neu i ffwrdd, heb ystyried cyflymder newid MOS, mae cylched cau cyflym wedi'i ddylunio ar y gylched gyffredinol.

Rhowch sylw i'r pwyntiau canlynol:

1. Talu sylw at y foltedd DS a gadael digon o ymyl ar gyfer dylunio a dewis. Yn ôl BVDDS o 1.5 gwaith transistor MOS

2. Rhowch sylw i'r cerrynt gweithio a'r cerrynt amddiffyn. Mae gwerth profiad 3-4 o weithiau neu fwy, sef ID (DC) MOS.

3. Mae MOS lluosog wedi'u cysylltu yn gyfochrog, a dylai'r ymyl gyfredol fod mor fawr â phosib.

4. Dylai'r cynllun o ddefnyddio cerrynt uchel ystyried yn gynhwysfawr afradu gwres pecynnu a gwrthiant mewnol.

5. Mae'n bwysig deall y foltedd gyrru a cheisio cadw'r MOS yn gweithio mewn cyflwr cwbl agored. Ar gyfer datrysiadau sy'n cael eu gyrru gan ficroreolwyr, argymhellir defnyddio MOS gyda chyflwr agored isel cymaint â phosib.

Yn ogystal, wrth ddewis transistorau MOS, dylid rhoi sylw i'r math o sianel, BVDDS, cerrynt dargludiad ID, VGS (th), RDSON a pharamedrau eraill